一种基于Weibull函数的单粒子注入脉冲模型

• 作者: 李磊 王佩
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 单粒子效应 抗辐射加固 Weibull函数 注入脉冲模型
• 年，卷（期）: 2010,（9）
• 页码范围: 61-64
• 分类号: TN32
• 语种: 中文

摘要

单粒子效应是当前集成电路抗辐射加固的研究重点之一.根据空间辐射粒子特点,提出一种基于Weibull函数的单粒子注入脉冲模型,该模型利用Weibull函数对瞬时脉冲直接进行电路级描述.实验证明,该模型与传统器件级电流注入脉冲模型的SER统计数据拟合度高达98.41%,同时可将电路模拟时间缩短3个数量级,在高速超大规模集成电路的单粒子效应研究中,具有明显的模拟速度优势,为深亚微米级的抗辐射加固研究提供了坚实的理论基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李磊	电子科技大学电子科学技术研究院	39	150	6.0	10.0
2	王佩	电子科技大学电子科学技术研究院	5	23	4.0	4.0