STI场区加固NMOS器件总剂量效应

• 作者: 吴建伟 李艳艳 洪根深 谢儒彬 陈海波
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 辐射加固 总剂量效应 浅槽隔离 0.18μm
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 微电子、微系统与物理电子学
• 页码范围: 805-810
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3178字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201605.0805

摘要

基于0.18μm CMOS工艺开发了浅槽隔离(STI)场区抗总剂量辐射加固技术，采用离子注入技术使 STI/衬底界面处的 P 型硅反型阈值提高，从而增强 NMOS 器件的抗辐射能力。实验表明，加固NMOS器件在500 krad(Si)剂量点时，阈值电压无明显漂移，漏电流保持在10-12量级，其抗辐射性能明显优于非加固 NMOS器件。通过 STI场区加固工艺的研究，可有效提高电路的抗总剂量辐射能力，同时避免设计加固造成芯片面积增大的问题。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	洪根深		33	74	5.0	6.0
2	陈海波		6	13	3.0	3.0
3	吴建伟		25	39	4.0	4.0
4	谢儒彬		9	22	3.0	4.0
5	李艳艳		4	11	2.0	3.0