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摘要:
本文主要介绍了0.5μm CMOS工艺中一些腐蚀模块的工艺.
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低压MOS器件
0.5μm CMOS工艺
工艺兼容技术
0.5μm CMOS标准单元库建库流程技术研究
标准单元库
建库流程
特征化
0.5μm工艺CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应
电离总剂量辐射效应
CMOS有源像素传感器
饱和输出信号
像素单元结构
LOCOS隔离
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 0.5μm CMOS腐蚀工艺研究
来源期刊 电子与封装 学科 工学
关键词 CMOS 腐蚀工艺 模块
年,卷(期) 2002,(5) 所属期刊栏目 技术论文
研究方向 页码范围 1-10
页数 10页 分类号 TN405.98
字数 3946字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1681-1070.2002.05.001
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 莫科伟 无锡微电子科研中心二室 3 0 0.0 0.0
2 刘丽艳 无锡微电子科研中心二室 2 0 0.0 0.0
3 吴洪强 无锡微电子科研中心二室 2 0 0.0 0.0
4 周彬 无锡微电子科研中心二室 2 0 0.0 0.0
传播情况
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引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (0)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
2002(0)
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  • 引证文献(0)
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研究主题发展历程
节点文献
CMOS
腐蚀工艺
模块
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子与封装
月刊
1681-1070
32-1709/TN
大16开
江苏无锡市惠河路5号(208信箱)
2002
chi
出版文献量(篇)
3006
总下载数(次)
24
总被引数(次)
9543
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