0.5μm CMOS标准单元库建库流程技术研究

• 作者: 罗静 陶建中
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 标准单元库 建库流程 特征化
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 23-27,19
• 页数: 6页
• 分类号: TN432
• 字数: 5365字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2006.01.007

摘要

标准单元库是LSI/VLSI自动化设计的基础.基于0.5μm CMOS单多晶三铝工艺线,开发了全套0.5μm CMOS标准单元库.文章重点介绍了CMOS标准单元库的建库流程技术.此技术可以有效地应用于其他CMOS或SOI工艺标准单元库的开发.