高可靠性标准单元库性能参数的设计研究

• 作者: 梁曼 蒋见花
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 反相器 延时特性 噪声容限 功耗 电压传输特性(VTC)
• 年，卷（期）: 2013,（10）
• 页码范围: 114-118
• 页数: 5页
• 分类号: TN402
• 语种: 中文

摘要

为了设计高可靠性标准单元库的性能参数，需要对其最基本的单元模块反相器的性能参数进行研究。平衡考虑延时特性、噪声容限和功耗等方面的因素，首先确定反相器晶体管PMOS和NMOS的宽度比，然后根据设计需要确定具体的晶体管尺寸，提出了一套完整的确定反相器最小尺寸的方案。最后搭建一组逻辑电路验证所设计的反相器在延时特性和功耗方面体现出的优势，为深亚微米和纳米级标准单元库参数设计提供一定的依据。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋见花	中国科学院微电子研究所	21	147	7.0	11.0
2	梁曼	中国科学院微电子研究所	1	4	1.0	1.0