高能效宽电压工作标准单元库分析与优化

• 作者: 李翔宇 王京睿
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 能量效率 近阈值 宽电压工作 大扇入逻辑门 D触发器 电平移位器
• 年，卷（期）: 2016,（8）
• 页码范围: 72-75
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 语种: 中文

摘要

研究了剔除大扇入逻辑门对于高电源电压下的电路指标的影响，证实这一方法对电路在高电压下的性能和功耗没有明显的负面影响，主要影响是在一定程度上增大电路的面积．分别对32 nm标准单元库中的异步置位复位D触发器单元和电平移位器单元进行了电路优化，使得它们在低电压下的延时分别减少了14．6％和19．9％，解决了电源电压降至近阈值时性能恶化过于严重的问题．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李翔宇	清华大学微电子学研究所	41	87	5.0	8.0
2	王京睿	清华大学微电子学研究所	1	0	0.0	0.0