空间辐射效应防护的标准单元库设计与实现

• 作者: 刘佑宝 卢红利 吴龙胜 唐威 赵德益
• 来源期刊: 吉林大学学报（信息科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 抗辐射加固 绝缘体上硅 源漏非对称注入 H型栅 标准单元
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 365-371
• 分类号: TN303|TN386.1
• 字数: 3666字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-5896.2010.04.007

摘要

为提高空间环境下电子设备的可靠性,提升抗辐射加固SOI(Silicon on Insulator)集成电路的设计效率,通过构建完整的建库流程,自主设计开发了基于3.3 V-0.35 μm-PD(Partly) SOI CMOS(Complementary Metal-Semiconductor)工艺平台,并面向Synopsys电子设计自动化软件的抗辐射加固标准单元库.标准单元采用H型栅及源漏非对称注入结构,以提高抗辐射性能,最后对该单元库进行了电子设计自动化工具流程验证和测试验证.实验结果表明,检错纠错验证电路功能符合设计要求,抗总剂量水平大于300 krad (Si).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘佑宝	西安微电子技术研究所计算机研发部	56	248	9.0	13.0
2	吴龙胜	西安微电子技术研究所计算机研发部	50	120	6.0	8.0
3	唐威	西安微电子技术研究所计算机研发部	25	90	6.0	8.0
4	赵德益	西安微电子技术研究所计算机研发部	5	12	2.0	3.0
5	卢红利	西安微电子技术研究所计算机研发部	3	2	1.0	1.0