SiGe BiCMOS工艺集成技术研究

• 作者: 李红征
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 硅锗合金 BiCMOS工艺 异质结双极晶体管 BBGate工艺 BAGate工艺 BDGate工艺
• 年，卷（期）: 2015,（12）
• 页码范围: 34-37
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 2180字
• 语种: 中文

摘要

SiGe（硅锗合金）BiCMOS工艺集成技术，是在制造电路结构中的双极晶体管时，在硅基区材料中加入一定含量的锗，形成应变硅异质结构晶体管，以改善双极晶体管特性的一种硅基工艺集成技术。对硅锗合金BiCMOS工艺的核心器件——锗硅异质结双极晶体管SiGe HBT的关键工艺模块，包括收集区、基区、发射区和深槽隔离的器件结构与制作工艺进行了研究与探讨。对常用的3种SiGe BiCMOS工艺集成技术BBGate工艺、BAGate工艺和BDGate工艺，进行了工艺集成技术难点与关键工艺方面的研究，并比较了各种工艺流程的优缺点及其适用范围。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李红征		7	13	3.0	3.0