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摘要:
基于硅锗双极-互补金属氧化物半导体(SiGe BiCMOS)工艺,采用衬底集成波导(SIW)结构,设计了几款片上太赫兹滤波器.测试结果中带宽和中心频率分别为 20 GHz@139 GHz,20GHz@168GHz和26GHz@324GHz,结果表明制作的带通滤波器中心频率与设计的偏差很小;滤波器在中心频率的插入损耗为-6 dB@139 GHz,-5.5 dB@168 GHz和-5 dB@324 GHz.
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文献信息
篇名 基于SiGe BiCMOS工艺的片上太赫兹滤波器
来源期刊 太赫兹科学与电子信息学报 学科 工学
关键词 滤波器 太赫兹 硅锗双极-互补金属氧化物半导体 衬底集成波导
年,卷(期) 2015,(6) 所属期刊栏目 太赫兹科学技术
研究方向 页码范围 849-852
页数 4页 分类号 TN713
字数 1912字 语种 中文
DOI 10.11805/TKYDA201506.0849
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 熊永忠 中国工程物理研究院太赫兹半导体器件研究室 6 12 3.0 3.0
2 崔博华 中国工程物理研究院太赫兹半导体器件研究室 3 12 2.0 3.0
3 李一虎 中国工程物理研究院太赫兹半导体器件研究室 1 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
滤波器
太赫兹
硅锗双极-互补金属氧化物半导体
衬底集成波导
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
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期刊影响力
太赫兹科学与电子信息学报
双月刊
2095-4980
51-1746/TN
大16开
四川绵阳919信箱532分箱
62-241
2003
chi
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11167
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