基于SiGe BiCMOS工艺的片上太赫兹滤波器

• 作者: 崔博华 李一虎 熊永忠
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 滤波器 太赫兹 硅锗双极-互补金属氧化物半导体 衬底集成波导
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 太赫兹科学技术
• 页码范围: 849-852
• 页数: 4页
• 分类号: TN713
• 字数: 1912字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201506.0849

摘要

基于硅锗双极-互补金属氧化物半导体(SiGe BiCMOS)工艺,采用衬底集成波导(SIW)结构,设计了几款片上太赫兹滤波器.测试结果中带宽和中心频率分别为 20 GHz@139 GHz,20GHz@168GHz和26GHz@324GHz,结果表明制作的带通滤波器中心频率与设计的偏差很小;滤波器在中心频率的插入损耗为-6 dB@139 GHz,-5.5 dB@168 GHz和-5 dB@324 GHz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	熊永忠	中国工程物理研究院太赫兹半导体器件研究室	6	12	3.0	3.0
2	崔博华	中国工程物理研究院太赫兹半导体器件研究室	3	12	2.0	3.0
3	李一虎	中国工程物理研究院太赫兹半导体器件研究室	1	0	0.0	0.0