基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺的在片背腔贴片天线

• 作者: 冯魏巍 朱华 李秀萍 肖军 齐紫航
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 0.13μm SiGe BiCMOS工艺 背腔 贴片天线 在片天线
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 页码范围: 310-314,337
• 页数: 6页
• 分类号: TN827+.3
• 字数: 576字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2019.03.009

摘要

提出了一款基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺设计、加工的340 GHz在片背腔贴片天线.辐射贴片位于AM金属层,带状线馈线置于LY金属层并通过连接AM金属层和LY金属层的金属化通孔对辐射贴片馈电.通过设计连接AM金属层和M1金属层的金属化通孔形成谐振腔体展宽了天线阻抗带宽、提升了天线辐射性能.天线的仿真阻抗带宽(S11≤-10 dB)为9.2 GHz(335.6～344.8 GHz).天线在340 GHz处的仿真增益为3.2 dBi.天线的整体尺寸为0.5×0.56 mm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李秀萍	北京邮电大学电子工程学院	16	190	6.0	13.0
3	肖军	北京邮电大学电子工程学院	2	2	1.0	1.0
5	朱华	北京邮电大学电子工程学院	2	2	1.0	1.0
11	齐紫航	北京邮电大学电子工程学院	1	2	1.0	1.0