基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺的10GS/s、3bit模数转换器

• 作者: 刘中华 张翼 李晓鹏 杨磊 沈宇 郭宇锋
• 来源期刊: 南京邮电大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 全并行模数转换器 SiGe BiCMOS工艺 差分编码电路 超高速
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 所属期刊栏目: 通信与电子
• 页码范围: 26-33
• 页数: 8页
• 分类号: TN492
• 字数: 2662字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14132/j.cnki.1673-5439.2019.05.005

摘要

基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,文中设计了超高速全并行模数转换器,其时钟采样率为10 GS/s、精度为3 bit.该模数转换器采用全差分的电路结构,其中跟踪保持放大器采用电容增强技术获得大带宽.设计中采用差分编码技术降低编码电路的误码率,提高工作速度.电路仿真结果表明,当时钟采样率为10 GS/s时,ADC电路的微分非线性和积分非线性均小于0.2 LSB.该ADC电路在输入信号频率低于10 MHz时的有效位数大于2.8位,在输入信号频率为1 GHz时的有效位数大于2.5位.在-5V和-3.3V供电电压下,电路的总功耗为1.6W,芯片面积为1.0 mm×1.2 mm.