1．3～2．2 GHz低噪声低功耗 CMOS LC VCO的设计

• 作者: 姜宇 张玉琳 郭桂良 阎跃鹏 陈华 韩荆宇
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 宽带 低相位噪声 低功耗 压控振荡器 锁相环 频率综合器
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 页码范围: 24-28
• 页数: 5页
• 分类号: TN752
• 语种: 中文

摘要

基于TSMC 0．18μm RFCMOS工艺，设计并实现了一个宽带低功耗低相位噪声的高性能压控振荡器（VCO）．为实现1．3～2．2 GHz调谐范围，VCO采用7‐bit（128根调谐曲线）固定电容阵列，同时也获得了超低的增益，降低了相位噪声．为弱化宽调谐范围带来的增益波动，VCO采用3‐bit可变电容阵列来提升低带曲线的斜率，以期与高带一致．为实现每根曲线的宽线性范围，可变电容采用分布式偏置电压技术．为降低相位噪声，还提出了一种输出零偏置架构以及电流源噪声滤除技术．测试结果表明，调谐电压的线性范围为0．2～1．6 V ；VCO输出频率范围为1．3～2．17 GHz ；高带调谐曲线叠合超过50％，低带超过80％；VCO增益仅为19 M Hz／V ；增益波动范围为13～25 M Hz／V ．当振荡频率为1312 M Hz ，1 M Hz 频偏处相位噪声为－116．53 dBc／Hz ；当振荡频率为2152 M Hz ，1 M Hz频偏处相噪为－112．78 dBc／Hz ．VCO功耗电流为1．2～3．2 mA ，电源电压为1．8 V ．提出的VCO既能提供51％的频率覆盖，又能实现低相位噪声，已经被成功应用于工业自动化无线传感网（WIA ）射频收发机芯片中．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈华	中国科学院微电子研究所	65	683	13.0	24.0
2	阎跃鹏	中国科学院微电子研究所	101	427	9.0	13.0
3	郭桂良	中国科学院微电子研究所	37	106	6.0	7.0
4	姜宇	中国科学院微电子研究所	9	77	4.0	8.0
5	张玉琳	中国科学院微电子研究所	1	3	1.0	1.0
6	韩荆宇	中国科学院微电子研究所	3	7	2.0	2.0