采用65 nm工艺实现宽频带低相位噪声的LC－VCO

• 作者: 孙玲玲 郑丽斌 高海军
• 来源期刊: 杭州电子科技大学学报（自然科学版）
• 关键词: 压控振荡器 宽频带 开关电容阵列 闪烁噪声 堆积式MOM电容
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 应用研究
• 页码范围: 22-26
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.13954/j.cnki.hdu.2015.03.003

摘要

介绍了采用65 nm工艺实现宽频带和低相位噪声LC－VCO。利用相邻两层金属以及多层金属之间的寄生电容来实现堆积式MOM电容。开关阵列电容采用所述的堆积电容来实现，在实现宽频带调谐的基础上可减小VCO的调谐增益。在交叉耦合MOS管的漏极插入电阻来抑制有源器件中闪烁噪声，这种非谐振方式可保证闪烁噪声的抑制在宽频带范围内有效。压控振荡器采用65 nm CMOS工艺实现，测试得到的调谐频率范围为2．7 GHz 1．3 GHz；输出频率为1．3 GHz时的相位噪声为－124 dBc／Hz＠1 MHz；供电电压为1．2 V时，功耗为2．4 mW；相应的优值为－183 dBc／Hz。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙玲玲	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	68	213	8.0	9.0
2	郑丽斌	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	1	1	1.0	1.0
3	高海军	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	12	17	3.0	4.0