利用RTS噪声确定MOSFET氧化层中陷阱位置的方法

• 作者: 包军林 庄奕琪 鲍立
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: RTS 深亚微米 边界陷阱 MOS器件 可靠性
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1426-1430
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 3145字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.08.018

摘要

强场诱生并与电场奇异性相关的边界陷阱是影响深亚微米MOS器件可靠性的关键因素之一.文中研究了深亚微米MOS器件的随机电报信号(RTS)的时间特性,提出了一种通过正反向测量器件非饱和区噪声的手段来确定边界陷阱空间分布的新方法.对0.18μm×0.15μm nMOS器件的测量结果表明,利用该方法可以准确计算深亚微米器件氧化层陷阱的二维位置,还为深亚微米器件的可靠性评估提供了一种新的手段.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄奕琪	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	183	1168	15.0	22.0
2	包军林	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	43	306	10.0	16.0
3	鲍立	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	6	24	4.0	4.0