高栅压下超薄栅nMOSFET的RTS噪声

• 作者: 包军林 庄奕琪 李伟华 鲍立
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: RTS 深亚微米 边界陷阱 MOS器件
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 576-581
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 3917字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.04.020

摘要

在深入研究SMIC 90nm工艺1.4nm栅厚度nMOS器件RTS噪声时域特性的基础上,提出了该类噪声电子隧穿栅介质的物理起源,并对高栅压下RTS噪声机理作了深入阐述.结合IMEC和TSMC的研究,建立了栅压与RTS噪声时间参数的物理模型,实验结果和模型模拟结果的一致说明了模型的有效性.该研究为边界陷阱动力学和此类器件可靠性提供了新的研究手段.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄奕琪	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	183	1168	15.0	22.0
2	包军林	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	43	306	10.0	16.0
3	李伟华	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	16	98	6.0	9.0
4	鲍立	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	6	24	4.0	4.0