AlGaN/GaN HEMT高场应力退化及紫外光辐照的研究

• 作者: 张进城 杨燕 王冲 郝跃
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 热电子 电子陷阱
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1436-1440
• 页数: 5页
• 分类号: TN325+.3
• 字数: 2826字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.08.020

摘要

采用不同的应力偏压发现器件特性的下降程度随应力偏置电压的增大而增大.经过3×104s 40V高场应力后,蓝宝石衬底 AlGaN/GaN HEMT饱和漏电流下降5.2%,跨导下降7.6%.从器件直流参数的下降分析了应力后的特性退化现象并与连续直流扫描电流崩塌现象进行了对比,同时观察了紫外光照对应力后器件特性退化的恢复作用.直流扫描电流崩塌现象在紫外光照下迅速消除,但是紫外光照不能恢复高场应力造成的特性退化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	312	1866	17.0	25.0
2	杨燕	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	18	93	5.0	8.0
3	张进城	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	52	301	9.0	14.0
4	王冲	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	17	107	7.0	9.0