垂直腔面发射激光器中的侧向氧化

• 作者: 冯源 刘文莉 姜晓光 李海军 王玉霞 郝永芹 钟景昌
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 侧向氧化 量子阱 垂直腔面发射激光器
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1351-1354
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2049字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.08.003

摘要

研究了垂直腔面发射激光器(VCSEL)的侧向氧化工艺及其特性.发现对于条形台面,氧化物生长遵循线性生长规律.但对于在VCSEL中采用的两种结构,氧化物的生长(温度高于435℃)表现为非线性生长行为.理论分析表明,台面结构的几何形状对高温下的氧化速率产生了影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝永芹	长春理工大学高功率半导体激光重点实验室	28	87	5.0	8.0
2	姜晓光	长春理工大学高功率半导体激光重点实验室	11	102	3.0	10.0
3	王玉霞	长春理工大学高功率半导体激光重点实验室	20	136	6.0	11.0
4	冯源	长春理工大学高功率半导体激光重点实验室	17	48	4.0	6.0
5	刘文莉	长春理工大学高功率半导体激光重点实验室	7	41	5.0	6.0
6	李海军	长春理工大学高功率半导体激光重点实验室	13	26	3.0	4.0