共蒸发三步法制备CIGS薄膜的性质

• 作者: 何青 周志强 孙云 孙国忠 敖建平 李凤岩 李长健 王晓玲
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 共蒸发 Cu(In,Ga)Se2(CIGS) 三步法工艺 薄膜太阳电池
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1406-1411
• 页数: 6页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 4326字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.08.014

摘要

采用PID温度控制器控制共蒸发设备中蒸发源及衬底加热的温度,以三步法工艺制备CIGS(Cu(In,Ga)Se2)薄膜,通过恒功率加热衬底测试温度的变化,可实现在线组分监测,得到CIGS薄膜的组成重现性很好.CIGS薄膜的表面光洁,粗糙度多数小于10nm.但是组成相同的CIGS薄膜,其结晶择优取向可能不同,主要有(112)和(220)/(204)两种;其结晶形貌也有很大的不同,晶粒粗大且成柱状的薄膜电池效率高,虽然从Cu/(In+Ga)＜1的组成可以认为CIGS薄膜为贫Cu结构,但Hall测试多数CIGS薄膜呈p型,少数呈n型.