共蒸发三步法制备CIGS薄膜的相变过程

• 作者: 何青 刘芳芳 张力
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: CIGS薄膜 共蒸发三步法 相变过程
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 页码范围: 1519-1523
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 3077字
• 语种: 中文

摘要

本文采用共蒸发三步法沉积Cu(In,Ga) Se2 (CIGS)薄膜,其中关于Cu化合物的相转变过程是制约吸收层质量的关键.本文详细研究了三步法工艺中吸收层由贫Cu薄膜向富Cu薄膜转变的相变过程,通过X射线衍射仪(XRD)、X射线荧光光谱仪(XRF)及扫描电镜(SEM)结合的方法总结出三步法工艺的相变过程.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何青	南开大学薄膜器件与技术研究所	40	365	11.0	18.0
2	刘芳芳	南开大学薄膜器件与技术研究所	19	224	7.0	14.0
3	张力	南开大学薄膜器件与技术研究所	13	87	6.0	9.0