0.6V电源电压的CMOS基准源设计及稳定性分析

• 作者: 叶青 王晗
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 基准源 超低电压 自偏置 稳定性 环路增益 返回比
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1508-1513
• 页数: 6页
• 分类号: TN402
• 字数: 3922字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.08.034

摘要

在SMIC 0.18μm CMOS工艺下实现了一种工作在0.6～1.5V下的基准源.分别采用环路增益法和返回比法对其中的自偏置放大器和核心电路的环路特性进行了分析.芯片输出的基准电压为0.4V,工作电流为4.8μA,在-40～120℃范围内温度系数小于80ppm/℃,面积(不包括PAD)为0.045mm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶青	中国科学院微电子研究所	103	768	15.0	25.0
2	王晗	中国科学院微电子研究所	11	75	4.0	8.0