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摘要:
报道了128×128 AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列的设计和制作.采用金属有机化学气相淀积外延技术生长外延材料,并在GaAs集成电路工艺线上完成工艺制作.为得到器件参数,设计制作了台面尺寸为300μm×300μm的大面积测试器件;77K下2V偏压时暗电流密度为1.5×10-3A/cm2;80K工作温度下,器件峰值响应波长为8.4μm,截止波长为9μm,黑体探测率DB 为3.95×108(cm·Hz1/2)/W.将128×128元 AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列芯片与相关CMOS读出电路芯片倒装焊互连,在80K工作温度下实现了室温环境目标的红外热成像,盲元率小于1%.
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焦平面阵列
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 9μm截止波长128×128 AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 AlGaAs/GaAs 量子阱红外探测器 红外热成像
年,卷(期) 2006,(8) 所属期刊栏目 研究快报
研究方向 页码范围 1355-1359
页数 5页 分类号 TN215
字数 2392字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.08.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李献杰 12 45 4.0 6.0
2 刘英斌 1 13 1.0 1.0
3 冯震 2 26 2.0 2.0
4 过帆 1 13 1.0 1.0
5 赵永林 4 37 4.0 4.0
6 赵润 1 13 1.0 1.0
7 周瑞 2 13 1.0 2.0
8 娄辰 1 13 1.0 1.0
9 张世祖 1 13 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
AlGaAs/GaAs
量子阱红外探测器
红外热成像
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半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
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