中心距10μm截止波长2.6μm的延伸波长InGaAs焦平面探测器

• 作者: 于一榛 何玮 张亚光 曹高奇 李平 李淘 李雪 杨波 邓双燕 邵秀梅 龚海梅
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 延伸波长 InGaAs探测器 小像元 暗电流密度 量子效率
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 页码范围: 649-652
• 页数: 4页
• 分类号: TN215
• 字数: 813字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2018.06.001

摘要

采用ICP(inductively coupled plasma etching)刻蚀与湿法腐蚀相结合的方式,研制了像元中心距为10μm、截止波长2.6μm的p-i-n型10×10元延伸波长InGaAs探测器.不同温度下的电流—电压特性研究和激活能分析,显示了器件优异的暗电流特性.在室温下,-10 mV偏压时器件的暗电流和优质因子R0A分别为0.45 nA和14.7 Ω·cm2,量子效率可达到63％.为了证实像元中心距减小并未影响器件性能,与同种材料中心距30 μm的InGaAs焦平面阵列进行了对比分析.相似的实验结果进一步证明了工艺的可行性,对今后实现高密度、大面阵延伸波长InGaAs探测器具有重要的指导意义.