新型复合盖层延伸波长InGaAs红外探测器结构优化设计

• 作者: 张志伟 曾玉刚 缪国庆 赵旭
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 红外探测器 APSYS 盖层 光谱响应度 暗电流
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 器件制备与器件物理
• 页码范围: 75-79
• 页数: 5页
• 分类号: O472.3
• 字数: 3154字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20153601.0075

摘要

设计并模拟计算了延伸波长至2.6 μm的复合盖层材料PIN结构In0.82Ga0.18As红外探测器,即PNN型盖层、PIN结构的In0.82Ga0.18As红外探测器.研究了不同厚度及载流子浓度的PNN盖层对探测器性能的影响.研究结果表明:在In0.82Al0.18As厚度为200 nm且载流子浓度为2E18、InAs0.6 P0.4厚度为50 nm且载流子浓度为2E17、In0.82Ga0.18As厚度为50 nm且载流子浓度为2E16时,探测器表现出最佳的性能.与传统PIN结构探测器相比,其相对光谱响应度仅降低10％,暗电流降低了1个数量级.计算分析了不同工作温度下的暗电流,结果显示:在120～250 K时,暗电流主要为缺陷隧穿电流;在250～ 300 K时,暗电流主要为带间隧穿电流;当温度大于300 K时,暗电流主要为产生-复合电流和扩散电流.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵旭	发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	55	706	14.0	25.0
3	缪国庆	发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	3	21	2.0	3.0
4	曾玉刚	发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	2	5	2.0	2.0
5	张志伟	发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	2	5	2.0	2.0