质子注入和快速退火对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的影响

• 作者: C Jagadish FU Lan M B Johnston M Gal Tan H H 刘兴权 李娜 李宁 沈学础 窦红飞 袁先漳 陆卫
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 质子注入 快速退火 量子阱红外探测器
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 页码范围: 25-28
• 页数: 4页
• 分类号: TH75|TL81
• 字数: 231字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2000.01.006

摘要

利用质子注入和快速退火技术改变GaAs/AlGaAs 量子阱能级分布,使量子阱红外探测器的光电特性发生变化,在较大地移动了探测波长的同时,探测器的响应率、探测率以及暗电流特性也发生相应变化.在质子注入剂量为2.5×1015cm-2、快速退火条件为950℃、30s时,峰值探测波长移动2μm.