GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的γ辐照研究

• 作者: 周均铭 李娜 李宁 沈学础 胡新文 袁先漳 陆卫 黄绮
• 来源期刊: 量子电子学报
• 关键词: 多量子阱 红外探测器 γ射线辐照
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 所属期刊栏目: 光电测量与器件
• 页码范围: 265-268
• 页数: 4页
• 字数: 1844字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2000.03.014

摘要

本文报道了γ射线辐照对量子阱红外探测器性能的影响。γ射线的辐射剂量分别为1～mrad、6～mrad、16～mrad。测量了器件在不同γ辐照剂量下的光谱响应、暗电流、黑体响应率。通过对实验结果的分析,暗电流和黑体响应率随γ辐照剂量增加而递减,表明探测器的性能随γ射线辐照剂量的增加而逐步衰减。