GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器特性非对称性分析

• 作者: 刘京郊 周均铭 李娜 李宁 李宏伟 李志锋 沈学础 窦红飞 袁先漳 金莉 陆卫 黄绮
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 量子阱红外探测器 不对称性 解吸附速率
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 页码范围: 411-414
• 页数: 4页
• 分类号: TN21
• 字数: 3186字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2001.06.003

摘要

在分子束外延生长量子阱材料过程中,分析了在不同的GaAs/AlGaAs异质结生长次序中Ga的解吸附速率不同和量子阱中掺杂的扩散造成量子阱结构的不对称,讨论了GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的性能参数相对于正负偏压的不对称性,并与金属有机化合物汽相沉淀法生长的量子阱材料和相应器件进行了比较.发现,采用分子束外延方法生长器件的不对称性更明显.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李宁	中国科学院上海技术物理研究所	304	5119	38.0	59.0
2	周均铭	中国科学院北京物理研究所	29	95	6.0	8.0
3	黄绮		26	106	7.0	9.0
4	陆卫	中国科学院上海技术物理研究所	95	442	12.0	16.0
5	李娜	中国科学院上海技术物理研究所	207	2106	25.0	37.0
6	李志锋	中国科学院上海技术物理研究所	37	186	8.0	12.0
7	沈学础	中国科学院上海技术物理研究所	17	41	3.0	6.0
8	李宏伟	中国科学院北京物理研究所	41	477	10.0	21.0
9	窦红飞	中国科学院上海技术物理研究所	2	2	1.0	1.0
10	袁先漳	中国科学院上海技术物理研究所	3	2	1.0	1.0
11	金莉	中国科学院北京物理研究所	3	57	2.0	3.0
12	刘京郊	中国科学院上海技术物理研究所	2	10	1.0	2.0