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摘要:
提出一种新型GaAs/GaAlAs子带间光吸收的红外光电导探测机理,利用MOCVD系统进行器件材料的生长,研制了200μm×200μm的台面形式单管,测到了明显的红外光电流信号及阱间共振遂穿效应造成的负阻震荡现象,对器件的性能测试结果表明,器件的光电流响应和信噪比随着阱数增加而增加,器件噪声比常规GaAs/GaAlAs量子阱红外探测器低一个数量级.
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文献信息
篇名 新型GaAs/GaAlAs 非对称量子阱红外光电导探测器
来源期刊 红外与毫米波学报 学科 工学
关键词 GaAs/GaAlAs非对称量子阱红外探测器 负阻震荡 光电流 信噪比
年,卷(期) 2000,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 269-272
页数 4页 分类号 TN2
字数 2309字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1001-9014.2000.04.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 沈光地 北京工业大学北京市光电子技术实验室 192 1444 18.0 29.0
2 邓军 北京工业大学北京市光电子技术实验室 57 219 7.0 10.0
3 史衍丽 北京工业大学北京市光电子技术实验室 4 25 3.0 4.0
4 杜金玉 北京工业大学北京市光电子技术实验室 8 40 4.0 6.0
5 尹洁 2 16 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
GaAs/GaAlAs非对称量子阱红外探测器
负阻震荡
光电流
信噪比
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
红外与毫米波学报
双月刊
1001-9014
31-1577/TN
大16开
上海市玉田路500号
4-335
1982
chi
出版文献量(篇)
2620
总下载数(次)
3
总被引数(次)
28003
论文1v1指导