质子注入和快速退火对GaAs/AlGaAs量子阱能级结构的调整

• 作者: Fu Lan Gal M Jagadish C Johnston M B Tan H H 刘兴权 李娜 李宁 沈学础 窦红飞 陆卫
• 来源期刊: 量子电子学报
• 关键词: 质子注入 快速退火 GaAs/AlGaAs 量子阱
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 所属期刊栏目: 激光过程与器件
• 页码范围: 31-35
• 页数: 5页
• 字数: 2089字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2000.01.007

摘要

摘要　本文介绍利用界面混合技术对GaAs/AlGaAs量子阱结构进 行微调，通过荧光光谱和光响应电流谱给出了质子注入和快速退火对 禁带宽度及导带内子带位置的影响，荧光光谱峰位随注入剂量(5× 1014～5×1015～cm-2)的增加从766～nm持续蓝移至753～nm，光响 应峰值波长从8.2～μm移至10.3～μm。