粒子束辐照在AlGaAs/GaAs量子阱材料中引入的深能级缺陷

• 作者: 孔梅影 廖志君 林理彬 黄万霞
• 来源期刊: 四川大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: AlGaAs/GaAs量子阱材料 电子辐照 质子辐照 DLTS谱
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 页码范围: 715-719
• 页数: 5页
• 分类号: O59|O471.1
• 字数: 2526字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0490-6756.2000.05.014

摘要

作者对AlGaAs/GaAs结构调制掺杂材料及多量子阱材料,分别使用电子束或质子束辐照.电子束辐照能量为0.4～1.8MeV,辐照注量为1×1013cm-2～1×1016cm-2,质子束辐照能量为20～130keV,辐照注量为1×1011cm-2～1×1014cm-2.辐照前后的样品均经过深能级瞬态谱(DLTS)的测试.测试结果表明,电子束辐照引入了新缺陷,其能级位置为E3=Ec-0.65eV,而质子辐照引入的深缺陷能级为E1=Ec-0.22eV,电子和质子束辐照同时对与掺Si有关的原生缺陷Dx中心E2=Ec-0.40eV也有影响,即浓度发生改变,峰形亦不对称,说明其中包含有其他邻近缺陷的贡献.DLTS测试给出了这些深中心的浓度及俘获截面等参数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	廖志君	四川大学应用物理系	17	37	4.0	5.0
2	林理彬		1	6	1.0	1.0
3	黄万霞		1	6	1.0	1.0
4	孔梅影	中国科学院半导体研究所	22	29	3.0	5.0