半导体量子阱材料的自由电子激光辐照效应及OTCS测试研究

• 作者: 张国庆 张猛 李永贵 林理彬 邹睿
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 量子阱 自由电子激光辐照 低温光荧光谱 红移 光瞬态电流谱
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 高功率激光与光学
• 页码范围: 33-36
• 页数: 4页
• 分类号: TN246
• 字数: 2405字
• 语种: 中文

摘要

利用低温光荧光谱(PL)和光瞬态电流谱(OTCS)研究了自由电子激光辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱材料的光学性质以及缺陷能级的影响.用波长为8.92μm,光功率密度相应于电场强度为20kV/cm的自由电子激光辐照多量子阱60min,分析PL谱发现量子阱特征峰(797nm)经过辐照后峰值发生红移至812nm,波形展宽,峰高降低.分析OTCS谱发现自由电子激光辐照引入了新的缺陷能级,量子阱结构发生变化, 对此结果进行了讨论,并与电子辐照的情况做了比较.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林理彬	四川大学物理系	90	605	13.0	20.0
2	邹睿	四川大学物理系	8	23	3.0	4.0
3	张猛	四川大学物理系	8	4	1.0	2.0
4	张国庆	中国科学院高能物理研究所	30	176	9.0	12.0
5	李永贵	中国科学院高能物理研究所	18	41	3.0	5.0