GaAs/AlGaAs多量子阱结构的光电流与电子干涉

• 作者: 周均铭 程兴奎 马洪磊 黄绮
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多量子阱结构 光电流 电子干涉
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 318-320
• 页数: 3页
• 分类号: TN2
• 字数: 2140字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2001.04.020

摘要

在77K温度,测量了GaAs/AlGaAs多量子阱结构的光电流 ,观测到在ν=1589cm-1,即λ=6.29μm附近存在一个强电流峰,分析认为,该电流峰与多量子阱势垒以上的电子干涉有关.根据电子干涉理论计算出的电流峰位置与实验结果非常一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马洪磊	山东大学光电材料与器件研究所	58	681	15.0	23.0
2	程兴奎	山东大学光电材料与器件研究所	24	80	5.0	7.0
3	周均铭	中国科学院物理研究所	29	95	6.0	8.0
4	黄绮	中国科学院物理研究所	26	106	7.0	9.0