GaAs/AlGaAs多量子阱结构中的电子干涉

• 作者: 任红文 刘士文 徐现刚 程兴奎 蒋民华 黄柏标
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs 多量子阱 电子干涉
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 692-694
• 页数: 3页
• 分类号: TN204
• 字数: 2961字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2001.05.031

摘要

由电子波干涉的观点出发，理论分析指出：多量子阱结构势垒以上的电子存在一些分立的弱干涉非定域态.通过红外光激发，量子阱中基态电子可以跃迁到这些态上形成一些吸收峰.理论计算出的吸收峰位置与实验测量到的结果相当一致，并且理论估计的吸收峰强弱也与实验结果一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程兴奎	山东大学光电材料与器件研究所	24	80	5.0	7.0
2	蒋民华	山东大学晶体材料所	109	811	14.0	23.0
3	徐现刚	山东大学晶体材料所	77	407	10.0	16.0
4	黄柏标	山东大学晶体材料所	47	364	10.0	17.0
5	任红文	山东大学晶体材料所	1	2	1.0	1.0
6	刘士文	山东大学晶体材料所	1	2	1.0	1.0