量子阱GaAs太阳电池的质子辐射效应

• 作者: FAN Qiang 孙旭芳 杨靖波 王荣 许颖
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 量子阱 GaAs太阳电池 质子辐照
• 年，卷（期）: 2005,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1558-1561
• 页数: 4页
• 分类号: TM914
• 字数: 2469字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.08.015

摘要

用I-V特性、光谱响应和深能级谱分析辐射效应,分析了1×109～2×1013cm-2,2MeV质子辐照量子阱GaAs太阳电池.结果表明,随辐照注量增大,电池Jsc,Voc,Pmax衰降程度增加;相同的注量,Pmax衰降程度最大.当注量大于3×1012cm-2时,Isc衰降程度比Voc的大;当注量小于3×1012cm-2时,Voc衰降程度比Isc的大;在900～1000nm波长范围内,2×1013cm-2辐照使量子阱光谱响应特性消失.这与量子阱结构受到损伤引入位于Ec-0.35eV的深能级有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王荣	北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室	34	284	10.0	15.0
10	许颖	北京师范大学低能核物理研究所	6	102	4.0	6.0
11	杨靖波	北京师范大学低能核物理研究所	3	21	3.0	3.0
12	FAN Qiang		1	12	1.0	1.0