量子阱GaAs太阳电池性能随质子辐照注量的变化

• 作者: 刘运宏 孙旭芳 杨靖波 段立颖 王荣
• 来源期刊: 北京师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 量子阱 GaAs太阳电池 质子辐照
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 页码范围: 383-385
• 页数: 3页
• 分类号: TM914
• 字数: 1877字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0476-0301.2005.04.017

摘要

2MeV,1×109～2×1013 cm-2质子辐照量子阱GaAs太阳电池,用I-V特性和光谱响应测试分析辐射效应.研究表明,随辐照注量增大,电池Isc,Voc,Pmax衰降程度增大,相同的注量,Pmax衰降程度最大.当辐照注量大于3×1012 cm-2时,电池Isc衰降程度比Voc的大,当注量小于3×1012 cm-2时,电池Voc衰降程度比Isc的大,与量子阱结构受到损失有关.在整个波长范围,随辐照注量增加,相对光谱响应的衰降变化增大,在900～1000nm波长范围,2×1013 cm-2质子辐照电池使量子阱光谱响应特性消失.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王荣	北京师范大学低能核物理研究所	34	284	10.0	15.0
10	刘运宏	北京师范大学低能核物理研究所	5	29	4.0	5.0
11	孙旭芳	北京师范大学低能核物理研究所	5	29	4.0	5.0
12	段立颖	北京师范大学低能核物理研究所	3	15	3.0	3.0
13	杨靖波	北京师范大学低能核物理研究所	3	21	3.0	3.0