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碳纳米管场发射冷阴极的低温制备及场发射性能
碳纳米管场发射冷阴极的低温制备及场发射性能
作者:
张之圣
李海燕
秦玉香
胡明
邹强
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
碳纳米管
纳米银
场发射特性
制备
摘要:
利用纳米银的低温熔接性和良好导电性,研究了以纳米银取代传统的有机粘结剂和导电银浆制备CNTs场发射冷阴极的新工艺.将CNTs、纳米银、粘性松油醇和有机溶剂混合研磨后涂敷在镀Cu玻璃基片上,250℃烧结30min后,纳米银颗粒之间互相熔接,将周围的CNTs粘结成为整体膜,形成了表面平整、导电性和场发射性能良好的CNTs阴极.测量了不同纳米银掺入量的CNTs阴极的场发射性能,结果表明:当CNTs:Ag质量比率为1:1时,CNTs阴极具有最好的场发射性能,阈值电场为4.9V/μm,当电场强度为5.7V/μm时,场发射电流密度为41mA/cm2.纳米银比例过大,烧结后CNTs被熔接的银膜覆盖,高电压时场发射电流明显下降,而纳米银掺入量太少则会导致CNTs阴极的附着力和导电性变差.
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内容分析
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文献信息
篇名
碳纳米管场发射冷阴极的低温制备及场发射性能
来源期刊
半导体学报
学科
物理学
关键词
碳纳米管
纳米银
场发射特性
制备
年,卷(期)
2006,(8)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
1417-1421
页数
5页
分类号
O462.4
字数
2868字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2006.08.016
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
胡明
天津大学电子信息工程学院
139
1336
19.0
28.0
2
张之圣
天津大学电子信息工程学院
57
580
15.0
21.0
3
李海燕
天津大学电子信息工程学院
24
220
9.0
14.0
4
秦玉香
天津大学电子信息工程学院
16
107
7.0
9.0
5
邹强
天津大学电子信息工程学院
10
125
6.0
10.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献
(21)
共引文献
(13)
参考文献
(9)
节点文献
引证文献
(2)
同被引文献
(5)
二级引证文献
(3)
1996(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1997(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
1998(3)
参考文献(1)
二级参考文献(2)
1999(5)
参考文献(0)
二级参考文献(5)
2000(6)
参考文献(2)
二级参考文献(4)
2001(8)
参考文献(2)
二级参考文献(6)
2002(2)
参考文献(0)
二级参考文献(2)
2003(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2004(2)
参考文献(1)
二级参考文献(1)
2005(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2006(1)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2006(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2009(1)
引证文献(0)
二级引证文献(1)
2011(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2012(1)
引证文献(0)
二级引证文献(1)
2018(1)
引证文献(0)
二级引证文献(1)
研究主题发展历程
节点文献
碳纳米管
纳米银
场发射特性
制备
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
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