DLC薄膜处理的碳纳米管冷阴极场发射特性

• 作者: 秦靓 许宁生 邓少芝 陈军
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 场发射 碳纳米管 碳纳米管冷阴极 DLC薄膜
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 163-167
• 页数: 5页
• 分类号: TN383.1
• 字数: 1686字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2008.02.008

摘要

碳纳米管(CNT)作为场发射冷阴极材料被应用于真空微纳电子器件.如何获得低电场发射和稳定发射,是碳纳米管冷阴极在器件中应用需要解决的问题.选择类金刚石(DLC)薄膜,利用磁过滤真空弧等离子技术产生DLC薄膜,对碳纳米管表面进行镀膜处理.场发射实验表明,经DLC薄膜处理后的碳纳米管冷阴极的场发射开启电场强度由3.3 MV/m下降至1.9 MV/m,相应的阈值电场强度也从6.5 MV/m下降至5.3 MV/m,并且在场发射性能提高的同时场发射的均匀性没有受到影响.DLC膜处理可以作为一种改善碳纳米管冷阴极场发射特性的技术.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈军	中山大学理工学院显示材料与技术广东省重点实验室	43	204	6.0	12.0
2	许宁生	中山大学理工学院光电材料与技术国家重点实验室	14	89	5.0	9.0
3	邓少芝	中山大学理工学院显示材料与技术广东省重点实验室	13	44	4.0	5.0
4	秦靓	中山大学理工学院光电材料与技术国家重点实验室	1	3	1.0	1.0