碳纳米管薄膜的场发射特性研究

• 作者: 曾葆青 杨中海 殷吉昊 田时开
• 来源期刊: 电子科技大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳纳米管 场发射 场发射平面显示器 阴极
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 学术论文与技术报告
• 页码范围: 624-627
• 页数: 4页
• 分类号: O462.4
• 字数: 1727字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0548.2003.06.008

摘要

碳纳米管薄膜是一种能应用于场发射平面显示器等器件中的新型冷阴极材料.该文用Ni作为催化剂,采用催化热解法在硅片上制备了多壁碳纳米管薄膜场发射阴极,反应气体为乙炔、氢气和氮气.用SEM和TEM分析了其结构,证明了碳纳米管的直径在50～70 nm间.进而采用二极管结构,在优于10-4Pa的真空度下,测试了它的场发射特性,理论分析表明碳纳米管薄膜的场发射实际上来源于突出于薄膜表面的部分碳纳米管顶端.该阴极的开启电场为8 V/μm;在11 V/μm时测试到了最大的发射电流密度2 mA/cm2,满足场发射平面显示器的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨中海	电子科技大学物理电子学院	97	814	15.0	24.0
2	曾葆青	电子科技大学物理电子学院	50	149	7.0	8.0
3	殷吉昊	电子科技大学物理电子学院	10	26	3.0	4.0
4	田时开	电子科技大学物理电子学院	4	13	2.0	3.0