MOS器件多晶硅栅量子效应的解析模型

• 作者: 代月花 孙家讹 徐超 柯导名 陈军宁
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅 量子效应 拟合参数 屏蔽长度 电势分布函数 场强分布函数
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2164-2168
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2439字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.11.023

摘要

根据载流子分布曲线近似,通过求解泊松方程,对多晶硅中的量子效应进行建摸,得出了一个基于物理的解析模型,该模型仅仅通过两个拟合参数可以将多个分散的状态模型简化为一个统一的模型.利用该模型对阈值电压进行了计算,其结果与数值模拟结果相吻合,证明了该模型的正确性和准确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈军宁	安徽大学电子科学与技术学院	160	1135	16.0	26.0
2	孙家讹	安徽大学电子科学与技术学院	10	16	2.0	4.0
3	代月花	安徽大学电子科学与技术学院	34	113	6.0	8.0
4	徐超	安徽大学电子科学与技术学院	48	418	11.0	19.0
5	柯导名	安徽大学电子科学与技术学院	1	2	1.0	1.0