NMOS器件ESD特性模拟

• 作者: 吴金 孙锋 郑若成
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 峰值场强 触发电压VB 维持电压VH 晶格温度 二次击穿电流
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 封装、组装与测试
• 页码范围: 18-21
• 页数: 4页
• 分类号: TN70
• 字数: 2212字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2008.03.005

摘要

NMOS管I-V曲线在ESD(electrostatic discharges)脉冲电流作用下呈现出反转特性,其维持电压VH、维持电流IH、触发电压VB、触发电流IB以及二次击穿电流等参数将会影响NMOS管器件的抗ESD能力.文章通过采用SILVACO软件,对1.0μm工艺不同沟长和工艺条件的NMOS管静电放电时的峰值电场、晶格温度以及VH进行了模拟和分析.模拟发现,在ESD触发时,增加ESD注入工艺将使结峰值场强增强,VH减小、VB减小,晶格温度降低;器件沟长和触发电压VB具有明显正相关特性,但对VH基本无影响.最后分析认为NMOS管ESD失效主要表现为高电流引起的热失效,而电场击穿引起的介质失效是次要的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴金	东南大学集成电路学院	47	437	13.0	19.0
2	郑若成		2	5	1.0	2.0
3	孙锋		2	7	2.0	2.0