NMOS管Snapback特性ESD仿真模型研究

• 作者: 孙云华 蒋婷 韩兆芳 高国平
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: NMOS snapback ESD 模型 HICUM Mextram VBIC
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 36-40
• 页数: 5页
• 分类号: TN303
• 字数: 2745字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2012.03.011

摘要

随着集成电路特征尺寸的不断缩小,ESD的问题始终困扰着芯片设计师们。文章提出了一种宏模型用于ESD的snapback仿真,它包含一个MOS管、一个NPN晶体管和一个衬底电阻,没有外部的电流源。简化的宏模型没有必要使用行为级的语言,如Verilog-A、VHDL-A。这使得仿真速度和收敛性得到提高。同时比较了三种先进的BJT模型：VBIC、Mextram、HICUM。模型参数可以通过模型参数提取软件（BSIMProPlus、ICCAP等）提取。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高国平		6	4	1.0	1.0
2	蒋婷		5	18	3.0	4.0
3	孙云华		2	2	1.0	1.0
4	韩兆芳		5	2	1.0	1.0