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摘要:
介绍了一种25 V NMOS器件结构,针对NMOS管实验结果中出现的漏电问题进行了测试与仿真分析.根据分析结果提出工艺改进方案,验证并成功改进了漏电问题.
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文献信息
篇名 一种NMOS管体区漏电特性的研究
来源期刊 电子与封装 学科 工学
关键词 NMOS 工艺改进 漏电
年,卷(期) 2018,(8) 所属期刊栏目 微电子制造与可靠性
研究方向 页码范围 41-43
页数 3页 分类号 TN307
字数 1215字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 乔明 35 178 8.0 12.0
2 李路 3 1 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
NMOS
工艺改进
漏电
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子与封装
月刊
1681-1070
32-1709/TN
大16开
江苏无锡市惠河路5号(208信箱)
2002
chi
出版文献量(篇)
3006
总下载数(次)
24
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