一种NMOS管体区漏电特性的研究

• 作者: 乔明 李路
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: NMOS 工艺改进 漏电
• 年，卷（期）: 2018,（8）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 41-43
• 页数: 3页
• 分类号: TN307
• 字数: 1215字
• 语种: 中文

摘要

介绍了一种25 V NMOS器件结构,针对NMOS管实验结果中出现的漏电问题进行了测试与仿真分析.根据分析结果提出工艺改进方案,验证并成功改进了漏电问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	乔明		35	178	8.0	12.0
2	李路		3	1	1.0	1.0