新型SCR-LDMOS输出端的静电放电保护结构

• 作者: 习毓 曲越 李德昌
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: LDMOS SCR-LDMOS ESD 二次电流It2
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 页码范围: 2104-2107
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 2861字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.06.034

摘要

研究了一种新的具有ESD自保护结构的SCR-LDMOS,它是通过在漏极加入P+扩散对传统LDMOS结构的改进.模拟了器件的击穿特性并分析了二次电流It2提高的原因.ISE软件模拟结果表明:该结构具有良好的开启态,二次击穿电流和ESD耐压是传统LDMOS的8.5倍;关闭态有比较高的BVDB可以满足使用的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李德昌	西安电子科技大学技术物理学院	20	82	6.0	7.0
2	习毓	西安电子科技大学技术物理学院	2	2	1.0	1.0
3	曲越	西安电子科技大学技术物理学院	2	2	1.0	1.0