新型功率器件SON-LDMOS的设计和研究

• 作者: 程秀兰 高正鑫
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: SOI SON LDMOS 击穿电压
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 纳米、固态及真空电子器件
• 页码范围: 291-295
• 页数: 5页
• 分类号: TN43
• 字数: 3552字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2009.02.014

摘要

本文提出了一种新型的对称式SON LDMOS功率器件.在对器件击穿电压进行解析分析的基础上,利用Silvaco TCAD仿真软件Atals验证了漂移区设计对器件击穿电压的影响,证明了峰值击穿电压的存在.并且对比分析了SON　LD-MOS与SOI LDMOS击穿电压和寄生电容方面的优势,研究表明SON LDMOSD在击穿电压上比SOI LDMOS器件提高了近3倍,并且其寄生电容也较小,这为SON LDMOS在功率方面的应用提供了部分理论支持.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程秀兰	上海交通大学微电子学院	48	205	5.0	12.0
2	高正鑫	上海交通大学微电子学院	1	3	1.0	1.0