SCR的I-V曲线中二次崩溃对ESD性能的影响

• 作者: 汤培望
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 静电放电 SCR I-V曲线 二次崩溃
• 年，卷（期）: 2010,（18）
• 页码范围: 1-3
• 分类号: TN403-34
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2010.18.001

摘要

介绍几种常见的静电放电(ESD)器件,阐述SCR在几种ESD器件中的优点,提出持续改进的SCR器件,比较改进SCR器件的原因和改进之后的效果.对比它和改进前器件的ESD测试数据,集中描述了I-V的二次崩溃曲线出现的原因及其对ESD性能的影响.结果表明,SCR的二次崩溃曲线对器件的 ESD性能有着非常好的效果,它可以在面积相当的情况下,大大改进器件的ESD性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汤培望		1	1	1.0	1.0