RF-LDMOS器件宏模型研究

• 作者: 刘斯扬 孙陈超 顾新艳
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 封装RF-LDMOS 宏模型 MBP 电学特性
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 1262-1267
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 2110字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2015.06.011

摘要

射频器件模型是射频电路仿真的基本要素之一。为了解决射频横向双扩散金属氧化物半导体晶体管（RF-LDMOS）缺乏准确SPICE模型的问题。此处提出了一种适用于带封装结构的RF-LDMOS器件宏模型建模及提模方法，并采用MBP软件进行验证分析。结果表明该宏模型建模方法能够很好的实现数据拟合，直流特性和射频特性的误差均在5%范围内，能够准确地反映器件的电学特性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘斯扬	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	21	54	4.0	5.0
2	顾新艳	南京工程学院汽车与轨道交通学院	16	98	5.0	9.0
3	孙陈超	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	2	6	1.0	2.0