功率RF LDMOS的关键参数研究

• 作者: 吴德馨 张耀辉 李科 王立新 黄晓兰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: RF LDMOS 击穿电压 截止频率 多晶硅氧化
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 266-270
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 3642字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.067

摘要

在功率RF LDMOS器件中,击穿电压、截止频率fT和导通电阻Ron是器件性能的关键参数,为提高这几个器件性能参数可采取的各种措施又往往是互相矛盾和相互制约的.文中研究了几个关键参数之间的关系和优化方案,以及国际上在这方面所开展的研究和取得的进展,为进一步的研究和探索提供参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴德馨	中国科学院微电子研究所	58	345	11.0	14.0
2	王立新	中国科学院微电子研究所	97	1160	17.0	30.0
3	李科	中国科学院微电子研究所	30	649	7.0	25.0
4	张耀辉	中国科学院微电子研究所	11	27	4.0	4.0
5	黄晓兰	中国科学院微电子研究所	2	8	1.0	2.0