RF LDMOS器件仿真与单元设计

• 作者: 徐政 王涛 顾吉
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 仿真 RF LDMOS 二层多晶场板
• 年，卷（期）: 2011,（9）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 18-22
• 分类号: TN402
• 字数: 3549字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2011.09.006

摘要

RFLDMOS器件在GSM／CDMA移动通讯基站、数字广播电视发射、射频通讯领域应用广泛，RFLDMOS在这些领域中的地位类似于CPU在计算机和互联网领域的核心地位。尤其，RFLDMOS器件对于国防科技和军事通讯领域的意义显得更为突出。对于RFLDMOS器件进行仿真研究是当今半导体领域研制产品常用的方法。这样不但可以节约大量的人力物力财力，更为重要的是可以节约产品的开发时间，加快产品的推出和更新换代。文中采用Silvaco软件对RF LDMOS进行仿真，该器件采用0-35μm标准CMOS工艺，二层多晶场板结构，漂移区长度4．5μm，通过优化工艺条件及器件结构，实现了100V的击穿电压，射频功率密度可达1．4W／mm。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王涛		30	86	5.0	8.0
2	徐政		14	17	3.0	3.0
3	顾吉		6	3	1.0	1.0