高鲁棒性N型沟道RF-LDMOS在TLP应力下的电学机理研究

• 作者: 任建伟 李浩 杜寰
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 射频功率器件 LDMOS 芯片设计 BCD制程 TLP 碰撞电离 P型埋层
• 年，卷（期）: 2019,（11）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 2317-2322
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.4
• 字数: 3786字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2019.11.012

摘要

提高射频功率器件的鲁棒性有利于增强器件的抗静电放电能力和抗失配能力.为了直观地了解器件内部发生的电学过程,本文研究了高鲁棒性N型沟道RF-LDMOS(Radio Frequency Lateral Diffusion MOS)在TLP(Trans-mission Line Pulse)应力下的电学机理.利用0.18μm BCD(Bipolar/CMOS/DMOS)先进制程,实现了特定尺寸器件的设计与流片.通过实测与仿真的对比,发现静电放电失效的随机性、芯片内部的热效应是导致仿真和实测差异的非理想因素.通过对TLP仿真的各阶段重要节点的分析,证明了源极下方的P型埋层有利于提高空穴电流的泄放能力,从而提高RF-LDMOS的鲁棒性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜寰	中国科学院微电子研究所	41	108	5.0	6.0
2	李浩	中国科学院微电子研究所	64	498	10.0	21.0
6	任建伟	中国科学院微电子研究所	42	422	13.0	19.0