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摘要:
采用室温射频磁控溅射非晶铟镓锌氧化合物(a-IGZO),在相对低的温度(<200?C)下成功制备底栅a-IGZO薄膜晶体管器件,其场效应迁移率10 cm?2·V?1·s?1,开关比大于107,亚阈值摆幅SS为0.4 V/dec,阈值电压为3.6 V.栅电压正向和负向扫描未发现电滞现象.白光发光二极管光照对器件的输出特性基本没有影响,表明制备的器件可用于透明显示器件.研究了器件的光照稳定性,光照10000 s后器件阈值电压负向偏移约0.8 V,这种漂移是由于界面电荷束缚所致.
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文献信息
篇名 低温透明非晶IGZO薄膜晶体管的光照稳定性*
来源期刊 物理学报 学科
关键词 非晶铟镓锌氧化合物 薄膜晶体管 光照稳定性 电滞现象
年,卷(期) 2013,(10) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 440-444
页数 分类号
字数 语种 中文
DOI 10.7498/aps.62.108503
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张建华 上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室 106 709 13.0 21.0
2 陈龙龙 上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室 4 16 3.0 4.0
3 石继锋 上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室 6 18 3.0 4.0
4 信恩龙 上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室 4 21 3.0 4.0
5 李春亚 上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室 3 10 2.0 3.0
6 李喜峰? 上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室 1 6 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
非晶铟镓锌氧化合物
薄膜晶体管
光照稳定性
电滞现象
研究起点
研究来源
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
半月刊
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11-1958/O4
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1933
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