多晶硅薄膜晶体管泄漏电流建模

• 作者: 李斌 胡云峰
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅薄膜晶体管 泄漏电流 热电子场致发射 解析模型
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 纳米固态及真空电子器件
• 页码范围: 1104-1108
• 页数: 5页
• 分类号: TN44
• 字数: 2855字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.04.009

摘要

泄漏电流是多晶硅薄膜晶体管应用的一个主要问题,多晶硅薄膜晶体管泄漏电流的建模对集成多晶硅薄膜晶体管设计和工艺改进具有重要意义.本文以陷阱辅助热电子场致发射理论为基础,通过对物理模型的近似处理,提出了一个在大的栅压范围和温度范围内与实验数据吻合较好的多晶硅薄膜晶体管泄漏电流解析模型.模型适合于电路仿真器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李斌	华南理工大学微电子研究所	128	542	12.0	17.0
2	胡云峰	华南理工大学微电子研究所	3	3	1.0	1.0